Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiter-Bauelements durch zur Vorderseite mit Infrarot-Licht justierte rueckseitige Strukturen

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Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiter-Bauelements durch zur Vorderseite mit Infrarot-Licht justierte rueckseitige Strukturen

Idee: Holger Ruething, DE-Muenchen; Dr. Erich Griebl, Muenchen; Michael Dahmen, AT-Villach

Bei der Herstellung von vertikalen Halbleiterbauelementen ist es zum Erreichen bestimmter Eigenschaften notwendig, dass auf der Rueckseite eines Halbleiterbauelements Strukturen erzeugt werden, die eine bestimmte Lage bezogen auf vorderseitige Strukturen aufweisen. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, indem zwei oberhalb und unterhalb aufeinander justierte Mikroskope verwendet werden. Die oben liegende Maske wird dabei ueber die unten liegenden Justierstrukturen der Systemseite eingestellt. Ein solches Verfahren kann jedoch nicht angewendet werden, wenn die Vorderseite nicht frei liegt. Dies ist beispielsweise bei duennen getraegerten Wafern der Fall, bei denen die Vorderseite desjenigen Wafers, der prozessiert wird, auf einem zweiten Traegerwafer befestigt wird, um einen Scheibenbruch zu verhindern. Bei dickeren Wafern werden bislang Glastraegerwafer verwendet, die mit transparenten Klebematerialien (z.B. Wachs) aufgebracht werden und so eine Sicht auf die jeweilige Rueckseite zulassen.

Das neue Verfahren loest diese Problematik dadurch, indem eine bestimmte Lichtquelle mit einem entsprechenden optischen System verwendet wird, mit der aufgrund der bestimmten Wellenlaenge des verwendeten Lichts der jeweilige Halbleiter d...